Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMJ70H900HJ3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6851335

DMJ70H900HJ3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
75+
$1.513
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMJ70H900HJ3
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMJ70H900HJ3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-251
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    68W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    11 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    603pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.4nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    700V
  • natančen opis
    N-Channel 700V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMJ70H900HJ3".
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
FDT86246L

FDT86246L

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Proizvajalci: Skyworks Solutions, Inc.
Na zalogi
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
BSS123 E6433

BSS123 E6433

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZDX080N50

ZDX080N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
CPC3960ZTR

CPC3960ZTR

Opis: MOSFET N-CH 600V SOT-223

Proizvajalci: IXYS Integrated Circuits Division
Na zalogi
RFQ
FDMB506P

FDMB506P

Opis: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.