Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMJ70H1D3SH3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5229477DMJ70H1D3SH3 image.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.25
75+
$0.998
150+
$0.873
525+
$0.677
1050+
$0.535
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMJ70H1D3SH3
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMJ70H1D3SH3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-251
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    41W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Druga imena
    DMJ70H1D3SH3-ND
    DMJ70H1D3SH3DI
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    7 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    700V
  • natančen opis
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMJ70H1D3SH3".
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Proizvajalci: Skyworks Solutions, Inc.
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
NCV8440STT1G

NCV8440STT1G

Opis: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
FQP19N20L

FQP19N20L

Opis: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
NTDV18N06LT4G

NTDV18N06LT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
TSM60NB380CF C0G

TSM60NB380CF C0G

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Opis: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
SI5449DC-T1-E3

SI5449DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IXFV12N120PS

IXFV12N120PS

Opis: MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.