Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMJ70H1D3SJ3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6210636DMJ70H1D3SJ3 image.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SJ3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
75+
$1.027
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMJ70H1D3SJ3
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH TO251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-251
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    41W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    7 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    700V
  • natančen opis
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMJ70H1D3SJ3".
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IXTH3N150

IXTH3N150

Opis: MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Proizvajalci: Skyworks Solutions, Inc.
Na zalogi
RFQ
RJL6013DPE-00#J3

RJL6013DPE-00#J3

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK

Proizvajalci: Renesas Electronics America
Na zalogi
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
AON6450L_001

AON6450L_001

Opis: MOSFET N-CH 100V 8DFN

Proizvajalci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na zalogi
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
SQ3427EV-T1_GE3

SQ3427EV-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 6TSOP

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
FDD4243-F085P

FDD4243-F085P

Opis: PMOS DPAK 40V 44 MOHM

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
5LN01M-TL-H

5LN01M-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.