Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMJ70H600SH3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1185594

DMJ70H600SH3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
75+
$1.667
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMJ70H600SH3
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMJ70H600SH3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-251
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    113W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    643pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    700V
  • natančen opis
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMJ70H600SH3".
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Opis: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Proizvajalci: Skyworks Solutions, Inc.
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
FDS7066N7

FDS7066N7

Opis: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Opis: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.