Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHB22N65E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4693659SIHB22N65E-GE3 image.Vishay Siliconix

SIHB22N65E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.81
10+
$4.323
25+
$4.087
100+
$3.542
250+
$3.361
500+
$3.015
1000+
$2.543
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHB22N65E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Vishay / Siliconix
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHB22N65E-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Napetost - preskus
    2415pF @ 100V
  • Napetost - razčlenitev
    D2PAK
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22A (Tc)
  • Polarizacija
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Druga imena
    SIHB22N65E-GE3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    19 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    SIHB22N65E-GE3
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    110nC @ 10V
  • Vrsta IGBT
    ±30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Funkcija FET
    N-Channel
  • Razširjen opis
    N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    650V
  • Capacitance Ratio
    227W (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHB22N65E-GE3".
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.