Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHB22N60AE-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6713099SIHB22N60AE-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB22N60AE-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.47
10+
$3.993
100+
$3.275
500+
$2.652
1000+
$2.236
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHB22N60AE-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHB22N60AE-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D²PAK (TO-263)
  • Serija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    179W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1451pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHB22N60AE-GE3".
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.