Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHB22N60E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2250310SIHB22N60E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB22N60E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.77
10+
$4.255
100+
$3.489
500+
$2.825
1000+
$2.383
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHB22N60E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHB22N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D2PAK
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    227W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Druga imena
    SIHB22N60EGE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1920pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHB22N60E-GE3".
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.