Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistor - bipolarne (BJT) - Array, pre prednape > RN1910FE(T5L,F,T)

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

116337

RN1910FE(T5L,F,T) image.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

1+

$0.42

10+

$0.302

25+

$0.235

100+

$0.178

250+

$0.126

500+

$0.101

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

RN1910FE(T5L,F,T)
Proizvajalec / znamka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Količina zalog

Na zalogi
Opis

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

RN1910FE(T5L,F,T).pdf
Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Vrsta tranzistorja

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paket naprave za dobavitelja

ES6
Serija

-
Resistor-Emitter Base (R2)

-
Rezistor - osnova (R1)

4.7 kOhms
Moč - maks

100mW
Pakiranje

Cut Tape (CT)
Paket / primer

SOT-563, SOT-666
Druga imena

RN1910FE(T5LFT)CT
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frekvenca - prehod

250MHz
natančen opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Trenutna moč (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Tok - odklop zbiralnika (maks.)

100nA (ICBO)
Tok - zbiralec (Ic) (maks.)

100mA

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "RN1910FE(T5L,F,T)".

RN1962TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1910FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1907,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1911FETE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1907,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1907FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1910,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.