Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistor - bipolarne (BJT) - Array, pre prednape > RN1907FE,LF(CB

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

4821043

RN1907FE,LF(CB image.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907FE,LF(CB

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

4000+

$0.048

8000+

$0.042

12000+

$0.036

28000+

$0.034

100000+

$0.028

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

RN1907FE,LF(CB
Proizvajalec / znamka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Količina zalog

Na zalogi
Opis

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

RN1907FE,LF(CB.pdf
Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Vrsta tranzistorja

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paket naprave za dobavitelja

ES6
Serija

-
Resistor-Emitter Base (R2)

47 kOhms
Rezistor - osnova (R1)

10 kOhms
Moč - maks

100mW
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

SOT-563, SOT-666
Druga imena

RN1907FE(T5L,F,T)
RN1907FE(T5LFT)TR
RN1907FE(T5LFT)TR-ND
RN1907FE,LF(CT
RN1907FELF(CBTR
RN1907FELF(CTTR
RN1907FELF(CTTR-ND
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

16 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frekvenca - prehod

250MHz
natančen opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Trenutna moč (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Tok - odklop zbiralnika (maks.)

100nA (ICBO)
Tok - zbiralec (Ic) (maks.)

100mA

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "RN1907FE,LF(CB".

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1907,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1905,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1905FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1905,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1910,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1907,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1911FETE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1910FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1906FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.