Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistor - bipolarne (BJT) - Array, pre prednape > RN1961FE(TE85L,F)
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3939946RN1961FE(TE85L,F) image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RN1961FE(TE85L,F)
  • Proizvajalec / znamka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    RN1961FE(TE85L,F).pdf
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Vrsta tranzistorja
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Paket naprave za dobavitelja
    ES6
  • Serija
    -
  • Resistor-Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Rezistor - osnova (R1)
    4.7 kOhms
  • Moč - maks
    100mW
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    SOT-563, SOT-666
  • Druga imena
    RN1961FE(TE85LF)TR
    RN1961FETE85LF
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvenca - prehod
    250MHz
  • natančen opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Trenutna moč (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Tok - odklop zbiralnika (maks.)
    100nA (ICBO)
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RN1961FE(TE85L,F)".
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.