Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > R6031222PSYA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4927576

R6031222PSYA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
30+
$92.703
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6031222PSYA
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    2.75V @ 800A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    1200V
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-205AB, DO-9
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    500ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Delovna temperatura - spoj
    -45°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    12 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 1200V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    50mA @ 1200V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    220A
  • Capacitance @ Vr, F
    -
R6030MNX

R6030MNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R60400-1CR

R60400-1CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Proizvajalci: Bussmann (Eaton)
Na zalogi
R6030KNX

R6030KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R60400-1STR

R60400-1STR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Proizvajalci: Bussmann (Eaton)
Na zalogi
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod