Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > R6031435ESYA
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
3364025

R6031435ESYA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
30+
$86.937
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6031435ESYA
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.5V @ 800A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    1400V
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-205AB, DO-9
  • Hitrost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    2µs
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Delovna temperatura - spoj
    -45°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    12 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 1400V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    50mA @ 1400V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    350A
  • Capacitance @ Vr, F
    -
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R60400-1STR

R60400-1STR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Proizvajalci: Bussmann (Eaton)
Na zalogi
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R60400-1CR

R60400-1CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Proizvajalci: Bussmann (Eaton)
Na zalogi
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R60400-3CR

R60400-3CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Proizvajalci: Bussmann (Eaton)
Na zalogi
R6030MNX

R6030MNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Proizvajalci: Bussmann (Eaton)
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod