Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5620
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6294550JAN1N5620 image.Microsemi Corporation

JAN1N5620

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$10.42
10+
$9.38
25+
$8.546
100+
$7.713
250+
$7.087
500+
$6.462
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5620
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1A
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    A, Axial
  • Druga imena
    1086-2111
    1086-2111-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    2µs
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    JAN1N5620
  • Razširjen opis
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Konfiguracija diode
    500nA @ 800V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    800V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5622

JAN1N5622

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5616

JAN1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5617

JAN1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Opis: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5615

JAN1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Opis: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5623

JAN1N5623

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5619

JAN1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5618

JAN1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5621

JAN1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod