Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5618US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4795406

JAN1N5618US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5618US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N5618US.pdf
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.3V @ 3A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    600V
  • Paket naprave za dobavitelja
    D-5A
  • Hitrost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    2µs
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SQ-MELF, A
  • Druga imena
    1086-2109
    1086-2109-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 200°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    500nA @ 600V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    1A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5618US".
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.