Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integrirana vezja (ICS) > Spomin > MT47H32M8BP-3:B TR
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3712864MT47H32M8BP-3:B TR image.Micron Technology

MT47H32M8BP-3:B TR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1000+
$10.518
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    MT47H32M8BP-3:B TR
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Čas cikla pisanja -
    15ns
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnologija
    SDRAM - DDR2
  • Paket naprave za dobavitelja
    60-FBGA (8x12)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    60-FBGA
  • Druga imena
    557-1050-2
  • delovna temperatura
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    256Mb (32M x 8)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x12)
  • Frekvenca ure
    333MHz
  • Številka osnovnega dela
    MT47H32M8B
  • Čas dostopa
    450ps
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E IT:H

MT47H32M16NF-25E IT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AIT:H

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod