Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integriranih vezij (IC) > Spomin > MT47H32M16U67A3WC1
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4851368

MT47H32M16U67A3WC1

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$7.63
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    MT47H32M16U67A3WC1
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL WAFER
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Čas cikla pisanja -
    -
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnologija
    SDRAM - DDR2
  • Serija
    -
  • delovna temperatura
    -
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    512Mb (32M x 16)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-187E:H

MT47H32M16NF-187E:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16HW-25E:G

MT47H32M16HW-25E:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AIT:H

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E IT:H

MT47H32M16NF-25E IT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod