Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integriranih vezij (IC) > Spomin > MT47H512M4THN-25E:M
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2248778

MT47H512M4THN-25E:M

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1518+
$23.25
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    MT47H512M4THN-25E:M
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Čas cikla pisanja -
    15ns
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnologija
    SDRAM - DDR2
  • Serija
    -
  • delovna temperatura
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    2Gb (512M x 4)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps
  • Frekvenca ure
    400MHz
  • Čas dostopa
    400ps
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod