Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integriranih vezij (IC) > Spomin > EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2246515EDB5432BEBH-1DAAT-F-D image.Micron Technology

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1680+
$5.404
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Čas cikla pisanja -
    -
  • Napetost - oskrba
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Paket naprave za dobavitelja
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tray
  • Paket / primer
    134-VFBGA
  • delovna temperatura
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    512Mb (16M x 32)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frekvenca ure
    533MHz
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEPA-1DIT-F-R

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod