Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integrirana vezja (ICS) > Spomin > EDB4432BBPE-1D-F-D
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1060485

EDB4432BBPE-1D-F-D

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1190+
$9.50
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    EDB4432BBPE-1D-F-D
  • Proizvajalec / znamka
    Micron Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Čas cikla pisanja -
    -
  • Napetost - oskrba
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tray
  • delovna temperatura
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    4Gb (128M x 32)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Frekvenca ure
    533MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "EDB4432BBPE-1D-F-D".
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEPA-1DIT-F-R

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.