Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > R6024ENZ1C9
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5976351R6024ENZ1C9 image.LAPIS Semiconductor

R6024ENZ1C9

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6024ENZ1C9
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 24A TO247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    R6024ENZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    120W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    17 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "R6024ENZ1C9".
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.