Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > R6024ENZC8
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5908046R6024ENZC8 image.LAPIS Semiconductor

R6024ENZC8

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6024ENZC8
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-3PF
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    120W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-3P-3 Full Pack
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    17 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6024KNX

R6024KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6024ENX

R6024ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod