Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > R6020ANZC8
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3133285R6020ANZC8 image.LAPIS Semiconductor

R6020ANZC8

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6020ANZC8
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    R6020ANZC8.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.15V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-3PF
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 10A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    120W (Tc)
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    TO-3P-3 Full Pack
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2040pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 20A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "R6020ANZC8".
R6020ENX

R6020ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020622PSYA

R6020622PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Opis: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Opis: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Proizvajalci: Rohm Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020435ESYA

R6020435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.