Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > R6020ENZ1C9
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6674585R6020ENZ1C9 image.Rohm Semiconductor

R6020ENZ1C9

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.06
10+
$3.623
25+
$3.26
100+
$2.971
250+
$2.681
500+
$2.405
1000+
$2.029
2500+
$1.927
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6020ENZ1C9
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    R6020ENZ1C9.pdf
  • Napetost - preskus
    1400pF @ 25V
  • Napetost - razčlenitev
    TO-247
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20A (Tc)
  • Polarizacija
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    17 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    R6020ENZ1C9
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    60nC @ 10V
  • Vrsta IGBT
    ±20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 1mA
  • Funkcija FET
    N-Channel
  • Razširjen opis
    N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Capacitance Ratio
    120W (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "R6020ENZ1C9".
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Opis: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Opis: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.