Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > R6011ENJTL
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5074806R6011ENJTL image.LAPIS Semiconductor

R6011ENJTL

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1000+
$1.90
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6011ENJTL
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 11A LPT
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.R6011ENJTL.pdf
    2.R6011ENJTL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    LPTS (D2PAK)
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    40W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Druga imena
    R6011ENJTLTR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    17 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "R6011ENJTL".
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011030XXYA

R6011030XXYA

Opis: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011025XXYA

R6011025XXYA

Opis: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.