Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > R6012025XXYA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5359505

R6012025XXYA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
30+
$75.525
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6012025XXYA
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.5V @ 800A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    2000V
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-205AB, DO-9
  • Hitrost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    11µs
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    12 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 2000V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    50mA @ 2000V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    250A
  • Capacitance @ Vr, F
    -
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6012FNX

R6012FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6012ANX

R6012ANX

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6011KNX

R6011KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6013-00

R6013-00

Opis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Proizvajalci: Harwin
Na zalogi
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6011ENX

R6011ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod