Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP1M009A090N

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

517001

GP1M009A090N image.

Global Power Technologies Group

GP1M009A090N

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

GP1M009A090N
Proizvajalec / znamka

SemiQ
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

GP1M009A090N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

TO-3PN
Serija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Odmik moči (maks.)

312W (Tc)
Pakiranje

Tube
Paket / primer

TO-3P-3, SC-65-3
Druga imena

1560-1174-1
1560-1174-1-ND
1560-1174-5
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Through Hole
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

900V
natančen opis

N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "GP1M009A090N".

GP1M009A020FG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M010A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A020HG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A020PG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A090H

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A090FH

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M011A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M009A070F

Opis: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M011A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M010A080N

Opis: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M011A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M010A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M010A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M012A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

GP1M011A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.