Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP1M009A020HG
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5344431GP1M009A020HG image.Global Power Technologies Group

GP1M009A020HG

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GP1M009A020HG
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 9A TO220
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GP1M009A020HG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    52W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-220-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    414pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    200V
  • natančen opis
    N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GP1M009A020HG".
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Opis: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Opis: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.