Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > S12JR
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2971229

S12JR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
200+
$2.94
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    S12JR
  • Proizvajalec / znamka
    GeneSiC Semiconductor
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.S12JR.pdf
    2.S12JR.pdf
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    12A
  • Napetost - razčlenitev
    DO-4
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Druga imena
    S12JRGN
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    10 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    S12JR
  • Razširjen opis
    Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Konfiguracija diode
    10µA @ 50V
  • Opis
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    600V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "S12JR".
S12JC M6G

S12JC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12MC M6G

S12MC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12KR

S12KR

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
RFQ
S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12M

S12M

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12J

S12J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12GR

S12GR

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.