Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > S12KC R7G
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
511828S12KC R7G image.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12KC R7G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
850+
$0.227
1700+
$0.203
2550+
$0.185
5950+
$0.173
21250+
$0.161
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    S12KC R7G
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.1V @ 12A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    800V
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-214AB (SMC)
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    DO-214AB, SMC
  • Druga imena
    S12KC R7GTR
    S12KC R7GTR-ND
    S12KCR7GTR
  • Delovna temperatura - spoj
    -55°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 800V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1µA @ 800V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    12A
  • Capacitance @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12KC M6G

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12JC V6G

S12JC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12JC M6G

S12JC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12MC R7G

S12MC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12MC V7G

S12MC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12KC V7G

S12KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
S12JC V7G

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12J

S12J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
S12JC R7G

S12JC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12M

S12M

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
S12MC M6G

S12MC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12JR

S12JR

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
S12KR

S12KR

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Proizvajalci: GeneSiC Semiconductor
Na zalogi
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12KC V6G

S12KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
S12MC V6G

S12MC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod