SISS26DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.782

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SISS26DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SISS26DN-T1-GE3.pdf
ECAD model
Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 15A, 10V
Odmik moči (maks.)

57W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8S
Druga imena

SISS26DN-T1-GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

32 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

6V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

60V
natančen opis

N-Channel 60V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Dolgoročna partnerstva smo vzpostavili z večjimi svetovnimi ponudniki logistike, ki ponujajo prilagodljive in učinkovite rešitve za pošiljanje, prilagojene vašim edinstvenim potrebam.Glede na velikost, težo in cilj vašega naročila izberemo najprimernejši nosilec pošiljanja.Ponujamo tudi storitve sledenja logistike v realnem času, ki strankam omogočajo, da kadar koli razumejo lokacijo in status njihovega blaga. Če imate posebne mednarodne poti dostave ali določeno špediter, se obrnite na našo prodajno ekipo-z veseljem ustrezamo vašim zahtevam.

Podpiramo več plačilnih načinov, vključno s kreditnimi karticami, prenosi žic in drugimi možnostmi, in sprejmemo večino valut.Za naročila, oddana v USD, so na voljo dodatne možnosti plačila.Za več podrobnosti o načinih plačil in postopkov se obrnite na našo prodajno ekipo.

Sledi izdelki, povezani z "SISS26DN-T1-GE3".

SISH410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS26DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Institucija: Čisti prihodki proizvajalcev opreme za opremo...

Applied Power Electronics Conference and Exposition 2025 Hi...

Poročalo se je, da bo TSMC 31. marca v Kaohsiungu organizi...

Glavni poslovni direktor Microna: Podjetje HBM Chips za 202...

AMPER 2025: Exhibition Highlights News

SK Hynix pospeši uvoz tovarniške opreme M15X DRAM, da se ...

Key Features That Make FTC Capacitors Stand Out

Why Choose FTC as Your Capacitor Online Store

Unlocking the Benefits of Wholesale Electronic Parts for Yo...

Prvi podatkovni center OpenAI za Stargate bo sprejemal 4000...

IPC APEX EXPO 2025: A Premier Event for Global Electronics ...

Uncovering the secrets of the first day of AMPER 2025

Izberi jezik

Trenutni jezik