SISH617DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.405

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SISH617DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SISH617DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8SH
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8SH
Druga imena

SISH617DN-T1-GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

27 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

P-Channel 30V 13.9A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

13.9A (Ta), 35A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SISH617DN-T1-GE3".

SISS04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC29N20DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISH402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISF00DN-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISS10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISNAP915DK

Opis: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SISNAP915EK

Opis: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SISS23DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISH106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISS12DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISH410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISS02DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISS26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC624P06X3MA1

Opis: SMALL SIGNAL+P-CH

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISS27ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISC262SN06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISC185N06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SISH434DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISS27DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SISH129DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SISH617DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SISS04DN-T1-GE3

SISC29N20DX1SA1

SISH402DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

SISNAP915DK

SISNAP915EK

SISS23DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

SISC624P06X3MA1

SISS27ADN-T1-GE3

SISC262SN06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

SISH434DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik