Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SISS27ADN-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

38550

SISS27ADN-T1-GE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS27ADN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

1+

$1.13

10+

$0.991

100+

$0.764

500+

$0.566

1000+

$0.453

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SISS27ADN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SISS27ADN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serija

TrenchFET® Gen III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1 mOhm @ 15A, 10V
Odmik moči (maks.)

57W (Tc)
Pakiranje

Original-Reel®
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8S
Druga imena

SISS27ADN-T1-GE3DKR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

32 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

4660pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

P-Channel 30V 50A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SISS27ADN-T1-GE3".

SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISNAP915EK

Opis: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 125V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISNAP915DK

Opis: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.