Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIR426DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2888739SIR426DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR426DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
1000+
$0.533
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIR426DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIR426DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8
  • Druga imena
    SIR426DP-T1-GE3DKR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1160pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    40V
  • natančen opis
    N-Channel 40V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIR426DP-T1-GE3".
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR468DP-T1-GE3

SIR468DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.