Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIR410DP-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

4911799

SIR410DP-T1-GE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR410DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.499

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIR410DP-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SIR410DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

4.2W (Ta), 36W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SIR410DP-T1-GE3-ND
SIR410DP-T1-GE3TR
SIR410DPT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

27 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

20V
natančen opis

N-Channel 20V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SIR410DP-T1-GE3".

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR333-A

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Proizvajalci: Everlight Electronics

Na zalogi

SIR383

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Proizvajalci: Everlight Electronics

Na zalogi

SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR383C

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Proizvajalci: Everlight Electronics

Na zalogi

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.