Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHU2N80E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
823865SIHU2N80E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU2N80E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.83
10+
$1.622
100+
$1.282
500+
$0.994
1000+
$0.785
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHU2N80E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHU2N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    IPAK (TO-251)
  • Serija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.75 Ohm @ 1A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    62.5W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    315pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    800V
  • natančen opis
    N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHU2N80E-GE3".
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.