Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHU6N80E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5474281SIHU6N80E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU6N80E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$2.69
10+
$2.428
100+
$1.951
500+
$1.517
1000+
$1.257
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHU6N80E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CHAN 800V TO-251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHU6N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    IPAK (TO-251)
  • Serija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    78W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    827pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    800V
  • natančen opis
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHU6N80E-GE3".
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW47N65E-GE3

SIHW47N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.