Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHG25N50E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2136295SIHG25N50E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG25N50E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$4.46
10+
$3.985
100+
$3.268
500+
$2.646
1000+
$2.231
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHG25N50E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.SIHG25N50E-GE3.pdf
    2.SIHG25N50E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247AC
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 12A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    250W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1980pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    500V
  • natančen opis
    N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHG25N50E-GE3".
SIHG22N60EL-GE3

SIHG22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N65E-GE3

SIHG22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.