Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHG24N65E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5687987SIHG24N65E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG24N65E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$7.08
10+
$6.325
100+
$5.187
500+
$4.20
1000+
$3.542
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHG24N65E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHG24N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247AC
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 12A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    250W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2740pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    650V
  • natančen opis
    N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHG24N65E-GE3".
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60EL-GE3

SIHG22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N65E-GE3

SIHG22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.