Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIDR638DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2416230SIDR638DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIDR638DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$1.042
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIDR638DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 100A SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8DC
  • Serija
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.88 mOhm @ 20A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    125W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8
  • Druga imena
    SIDR638DP-T1-GE3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    10500pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    204nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    40V
  • natančen opis
    N-Channel 40V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)
SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDV5545-20

SIDV5545-20

Opis: DISPLAY PROGRAMMABLE

Proizvajalci: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Na zalogi
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC81D120E6X1SA4

SIDC81D120E6X1SA4

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 150V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC73D170E6X1SA2

SIDC73D170E6X1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDR870ADP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
SIDEGIG-GUITAREVM

SIDEGIG-GUITAREVM

Opis: EVALUATION MODULE

Proizvajalci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na zalogi
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod