SIDR402DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$1.278

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SIDR402DP-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

1.SIDR402DP-T1-GE3.pdf
2.SIDR402DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8DC
Serija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.88 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SIDR402DP-T1-GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

40V
natančen opis

N-Channel 40V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

64.6A (Ta), 100A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SIDR402DP-T1-GE3".

SIDEGIG-GUITAREVM

Opis: EVALUATION MODULE

Proizvajalci: Luminary Micro / Texas Instruments

Na zalogi

RFQ

SIDC81D120F6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDR140DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDR626DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDC78D170HX1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDR392DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDR870ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDC56D60E6X1SA1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDV5545-20

Opis: DISPLAY PROGRAMMABLE

Proizvajalci: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.

Na zalogi

RFQ

SIDC81D60E6X1SA3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDR680DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDC73D170E6X1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDC81D120H6X1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDC81D120E6X1SA4

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDR622DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 150V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDR668DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDC59D170HX1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDR638DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SIDC85D170HX1SA2

Opis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SIDR610DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SIDR402DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SIDEGIG-GUITAREVM

SIDC81D120F6X1SA1

SIDR140DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

SIDC78D170HX1SA1

SIDR392DP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3

SIDC56D60E6X1SA1

SIDV5545-20

SIDC81D60E6X1SA3

SIDR680DP-T1-GE3

SIDC73D170E6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120E6X1SA4

SIDR622DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

SIDC59D170HX1SA2

SIDR638DP-T1-GE3

SIDC85D170HX1SA2

SIDR610DP-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik