Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI4931DY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3304459

SI4931DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$0.47
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4931DY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4931DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 350µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Moč - maks
    1.1W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4931DY-T1-GE3TR
    SI4931DYT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    12V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    6.7A
  • Številka osnovnega dela
    SI4931

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4931DY-T1-GE3".
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.