Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI4922BDY-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2959161

SI4922BDY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$0.685
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4922BDY-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4922BDY-T1-E3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 5A, 10V
  • Moč - maks
    3.1W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4922BDY-T1-E3TR
    SI4922BDYT1E3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2070pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Standard
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Številka osnovnega dela
    SI4922

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4922BDY-T1-E3".
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.