Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4890DY-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

6577746

SI4890DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

2500+

$1.475

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4890DY-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4890DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±25V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V
Odmik moči (maks.)

2.5W (Ta)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

15 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

-

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SI4890DY-T1-GE3".

SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.