Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4894BDY-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2149154

SI4894BDY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$0.612
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4894BDY-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.4W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4894BDY-T1-E3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    27 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1580pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 8.9A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8.9A (Ta)
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod