Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4880DY-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

6533531

SI4880DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4880DY-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4880DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 13A, 10V
Odmik moči (maks.)

2.5W (Ta)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

-

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SI4880DY-T1-GE3".

SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4866BDY-T1-E3

SI4866BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.