SI4466DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4466DY-T1-E3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4466DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Odmik moči (maks.)

1.5W (Ta)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Druga imena

SI4466DY-T1-E3TR
SI4466DYT1E3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

2.5V, 4.5V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

20V
natančen opis

N-Channel 20V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "SI4466DY-T1-E3".

SI4465ADY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4470EY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4463CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4477DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4463BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4464-B1X-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4464DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4464-B1B-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4463BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4472DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4464DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4467-A2A-IMR

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4466DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4465ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4464-B1B-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4468-A2A-IM

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4470EY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4468-A2A-IMR

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4467-A2A-IM

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4472DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI4466DY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SI4465ADY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

SI4463CDY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

SI4464-B1X-FM

SI4464DY-T1-GE3

SI4464-B1B-FM

SI4463BDY-T1-E3

SI4472DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-E3

SI4467-A2A-IMR

SI4466DY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

SI4464-B1B-FMR

SI4468-A2A-IM

SI4470EY-T1-GE3

SI4468-A2A-IMR

SI4467-A2A-IM

SI4472DY-T1-E3

Izberi jezik

Trenutni jezik