Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4464DY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4758857

SI4464DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$0.535
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4464DY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4464DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.5W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4464DY-T1-GE3TR
    SI4464DYT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    6V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    200V
  • natančen opis
    N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4464DY-T1-GE3".
SI4463-C2A-GM

SI4463-C2A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Opis: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.