SI4427BDY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$1.63

10+

$1.44

100+

$1.138

500+

$0.883

1000+

$0.697

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4427BDY-T1-E3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4427BDY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 12.6A, 10V
Odmik moči (maks.)

1.5W (Ta)
Pakiranje

Cut Tape (CT)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Druga imena

SI4427BDY-T1-E3CT
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

33 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

2.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

P-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

9.7A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "SI4427BDY-T1-E3".

SI4430BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4430BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4426DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4431-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4421DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4427BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4421-A1-FTR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4430-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4423DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4425BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4430-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4425DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4431-A0-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4426DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4431-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4423DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4431BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4430-A0-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4425BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4421DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI4427BDY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-GE3

SI4426DY-T1-GE3

SI4431-B1-FM

SI4421DY-T1-E3

SI4427BDY-T1-GE3

SI4421-A1-FTR

SI4430-B1-FM

SI4423DY-T1-E3

SI4425BDY-T1-GE3

SI4430-B1-FMR

SI4425DDY-T1-GE3

SI4431-A0-FM

SI4426DY-T1-E3

SI4431-B1-FMR

SI4423DY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-E3

SI4430-A0-FM

SI4425BDY-T1-E3

SI4421DY-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik