Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4431BDY-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2460998

SI4431BDY-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.13
10+
$0.99
100+
$0.764
500+
$0.566
1000+
$0.453
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4431BDY-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4431BDY-T1-E3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.5W (Ta)
  • Pakiranje
    Original-Reel®
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4431BDY-T1-E3DKR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    P-Channel 30V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4431BDY-T1-E3".
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.