Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMN1032UCB4-7
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3711349DMN1032UCB4-7 image.Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.235
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN1032UCB4-7
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN1032UCB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    U-WLB1010-4
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    900mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    4-UFBGA, WLBGA
  • Druga imena
    DMN1032UCB4-7DITR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    21 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    450pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    12V
  • natančen opis
    N-Channel 12V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN1032UCB4-7".
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Opis: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH30V SC-59

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.